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簡(jiǎn)要描述:JSM-7200F高速分析熱場(chǎng)發(fā)射電鏡是日本電子株式會(huì)社(JEOL Ltd.)于2015年推出的一款多功能、簡(jiǎn)單易用的分析型場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡,這款高分辨率掃描電鏡是進(jìn)行樣品納米級(jí)圖像顯微分析與微區(qū)化學(xué)成分分析的理想選擇。通過(guò)醉佳光闌角控制透鏡技術(shù),JSM-7200F可以在任意加速電壓下實(shí)現(xiàn)小束斑尺寸的大分析束流進(jìn)而可以輕松實(shí)現(xiàn)100nm以?xún)?nèi)的高空間分辨率分析。
產(chǎn)品分類(lèi)
詳細(xì)介紹
JSM-7200F高速分析熱場(chǎng)發(fā)射電鏡產(chǎn)品介紹:
JSM-7200F是日本電子株式會(huì)社(JEOL Ltd.)于2015年推出的一款多功能、簡(jiǎn)單易用的分析型場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡,這款高分辨率掃描電鏡是進(jìn)行樣品納米級(jí)圖像顯微分析與微區(qū)化學(xué)成分分析的理想選擇。
通過(guò)光闌角控制透鏡技術(shù),JSM-7200F可以在任意加速電壓下實(shí)現(xiàn)小束斑尺寸的大分析束流進(jìn)而可以輕松實(shí)現(xiàn)100nm以?xún)?nèi)的高空間分辨率分析。
JSM-7200F/LV配有大樣品倉(cāng),非常適合于搭載的能譜儀、波譜儀、EBSD相機(jī)、CL陰極發(fā)光探測(cè)器、拉伸臺(tái)、EBL以及SXES(JEOLzhuan利技術(shù),通過(guò)探測(cè)低能量的波長(zhǎng)從而獲得樣品的化學(xué)價(jià)態(tài)信息)等分析探測(cè)器。同時(shí),JSM-7200F具有抽屜式樣品倉(cāng)可以安裝諸如加熱、拉伸以及冷凍樣品臺(tái)進(jìn)行原位分析。
JSM-7200F高速分析熱場(chǎng)發(fā)射電鏡特點(diǎn):
浸沒(méi)式肖特基電子槍
浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍為日本電子的zhuan利技術(shù),通過(guò)對(duì)電子槍和低像差聚光鏡進(jìn)行優(yōu)化,能有效利用從電子槍中發(fā)射的電子,即使電子束流很大也能獲得很細(xì)的束斑。因而可以實(shí)現(xiàn)高通量分析(EDS、WDS面分析、EBSD分析等)。
TTLS(through-the-lens系統(tǒng))
TTLS(through-the-lens系統(tǒng))是利用GB(Gentle Beam 模式)在低加速電壓下能進(jìn)行高分辨率觀察和信號(hào)選擇的系統(tǒng)。 利用GB(Gentle Beam 模式)通過(guò)給樣品加以偏壓,對(duì)入射電子有減速、對(duì)樣品中發(fā)射出的電子有加速作用,即使在低加速電壓(入射電壓)下,也能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。
此外,利用安裝在TTLS的能量過(guò)濾器過(guò)濾電壓,可以調(diào)節(jié)二次電子的檢測(cè)量。這樣在極低加速電壓的條件下,用高位檢測(cè)器(UED)就可以只獲取來(lái)自樣品淺表面的大角度背散射電子。因過(guò)濾電壓用UED沒(méi)有檢測(cè)出的低能量電子,可以用高位二次電子檢測(cè)器(USD,選配件)檢測(cè)出來(lái),因此JSM-7200F能同時(shí)獲取二次電子像和背散射電子像。
混合式物鏡(電磁場(chǎng)疊加)
JSM-7200F的物鏡采用了本公司新開(kāi)發(fā)的混合式透鏡。
這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場(chǎng)疊加型物鏡,比傳統(tǒng)的out-lens像差小,能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性,所以可以觀察和分析磁性材料樣品。
JSM-7200F高速分析熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡規(guī)格:
JSM-7200F | SM-7200F/LV | |
分辨率 | 1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV) | 1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV),1.8nm (30kV, LV ) |
放大倍率 | ×10~×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30~×3,000,000(1280 x 960pixels display); | |
加速電壓 | 0.01kV~30kV | |
束流 | 1pA~300nA | |
自動(dòng)光闌角zei佳控制透鏡ACL | 內(nèi)置 | |
大景深模式 | 內(nèi)置 | |
檢測(cè)器 | 高位檢測(cè)器(UED)、低位檢測(cè)器(LED) | |
樣品臺(tái) | 5軸馬達(dá)驅(qū)動(dòng)樣品臺(tái) | |
樣品移動(dòng)范圍 | X:70mm Y:50mm Z:2mm~41mm 傾斜-5~+70° 旋轉(zhuǎn)360° | |
低真空范圍 | - | 10pa~300pa |
主要選配件:
可插拔式背散射電子探頭(RBED)
高位二次電子探頭(USD)
低真空二次電子探頭(LV-SED)
能譜儀(EDS)
波譜儀(WDS)
電子背散射衍射系統(tǒng)(EBSD)
陰極熒光系統(tǒng)(CLD)
樣品臺(tái)導(dǎo)航系統(tǒng)(SNS)
電子束曝光系統(tǒng)
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